用于基体电路制造之光阻剥离及／或光罩清洁之处理程序

摘要

本发明揭示一种用于积体电路制造的光罩清洁及/或剥离光阻的方法及系统，其包括将一硫酸与臭氧之混合物(SOM)引入一光罩之表面，同时施加超声波能量的一处理及构件。本发明亦包括包含将臭氧化去离子水及/或一低温稀释水溶液(dAPM)引入光罩之该表面，同时施加超声波能量之一处理及构件的方法及系统。该处理及装置亦从光罩表面移除后电浆灰化残余物及其他污染物。

主权项

一种用于光罩清洁及/或光阻剥离之系统，其包括：一硫酸与臭氧之混合物(SOM)之来源；一氢氧化铵与过氧化氢之稀释水溶液(dAPM)之来源；用以供应该SOM于该光罩的构件；用以供应该dAPM于该光罩的构件；用以供应声音能量于该光罩的构件；及一控制器，其系调适成启动该SOM供应构件及该声音能量供应构件，以便在供应SOM于该光罩期间供应声音能量于该光罩，并在完成供应该SOM及声音能量于该光罩后，启动该dAPM供应构件及该声音能量供应构件，以便在供应dAPM于该光罩期间供应声音能量于该光罩。如请求项1之系统，其中该dAPM之来源具有低于30℃的一温度。如请求项1之系统，其进一步包括：一臭氧化去离子水(DIO3)之来源；及用以供应该DIO3于该光罩之构件。如请求项1之系统，其进一步包括复数个处理室，该SOM供应构件系位于一第一处理室中及该dAPM供应构件系位于一第二处理室中。如请求项1之系统，其进一步包括一处理室，该SOM供应构件及该dAPM供应构件系位于该处理室中。如请求项1之系统，其进一步包括用以在该硫酸中溶入臭氧气体之构件。如请求项1之系统，其中该SOM之来源系处于低于90℃的一温度并不含泡沫。如请求项1之系统，进一步包括：一去离子水之来源；一臭氧化去离子水(DIO3)之来源；用以供应该去离子水于该光罩之构件；用以供应该DIO3于该光罩之构件；及其中该控制器系调适成按顺序(i)启动该SOM供应构件及该声音能量供应构件，以便在供应SOM于该光罩期间供应声音能量于该光罩，(ii)关闭该SOM供应构件，(iii)启动该去离子水供应构件，以便以该去离子水冲洗该光罩，(iv)关闭该去离子水供应构件，(v)启动该DIO3供应构件，以便供应DIO3于该光罩，(vi)关闭该DIO3供应构件，(vii)启动该dAPM供应构件及该声音能量供应构件，以便在供应dAPM于该光罩期间供应声音能量于该光罩，(viii)关闭该dAPM供应构件，及(ix)启动该去离子水供应构件，以便以该去离子水冲洗该光罩。如请求项1之系统，其进一步包括在该混合物被供应于该光罩前用以供应过氧化氢至该SOM之构件。