发明名称 显示装置、阵列基板和薄膜晶体管
摘要 本实用新型涉及显示技术领域,特别涉及一种显示装置、阵列基板和薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括栅极、有源层以及位于栅极和有源层之间的栅极绝缘层,有源层为氧化物半导体,栅极绝缘层包括至少一层无机绝缘薄膜。本实用新型提供的显示装置、阵列基板和薄膜晶体管中,该薄膜晶体管中的栅极绝缘层通过退火工艺、或分层结构结合退火工艺、或分层结构可最大程度的减少栅极绝缘层中含氢的基团,可有效避免含氢基团对氧化物半导体的影响,最大程度地提高整个TFT器件的稳定性,提高最终产品的良率。
申请公布号 CN202549848U 申请公布日期 2012.11.21
申请号 CN201220205452.X 申请日期 2012.05.08
申请人 京东方科技集团股份有限公司 发明人 袁广才;李禹奉
分类号 H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人 韩国胜
主权项 薄膜晶体管,包括栅极、有源层以及位于栅极和有源层之间的栅极绝缘层,其特征在于,所述有源层为氧化物半导体,所述栅极绝缘层包括至少一层无机绝缘薄膜。
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
您可能感兴趣的专利