| 发明名称 | 磁性隧道结元件 | ||
| 摘要 | 本发明的磁性隧道结元件包括第一强磁性体层、第二强磁性体层、以及在第一强磁性体层与第二强磁性体层之间形成的绝缘体层。绝缘体层由添加有氟的MgO构成。绝缘体层的氟的添加量为0.00487atm%以上0.15080atm%以下。该元件具有MgO绝缘体层，并且与现有的具有MgO绝缘体层的元件相比表现出高的磁阻变化特性。优选氟的添加量为0.00487atm%以上0.05256atm%以下。 | ||
| 申请公布号 | CN102792478A | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
| 申请号 | CN201180011721.7 | 申请日期 | 2011.08.04 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 松川望;小田川明弘;松下明生 |
| 分类号 | H01L43/10(2006.01)I;G01R33/09(2006.01)I;G11B5/39(2006.01)I;H01F10/16(2006.01)I;H01F10/30(2006.01)I;H01F10/32(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种磁性隧道结元件，其特征在于，包括：第一强磁性体层；第二强磁性体层；和在所述第一强磁性体层与所述第二强磁性体层之间形成的绝缘体层，所述绝缘体层由添加有氟的MgO构成，所述绝缘体层的氟的添加量为0.00487atm%以上0.15080atm%以下。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||