成膜方法和成膜装置

摘要

本发明提供成膜方法和成膜装置。成膜方法包括以下步骤：将基板输入到真空容器内，将基板载置在能旋转地设在真空容器内的旋转台上；使旋转台旋转；吸附步骤，自第1反应气体供给部向基板供给第1反应气体，使第1反应气体吸附于基板；形成步骤，自第2反应气体供给部向基板供给与第1反应气体反应的第2反应气体，使第2反应气体与吸附于基板的第1反应气体反应，在基板上形成反应生成物；向等离子体产生部供给含氢气体，在旋转台的上方生成等离子体，该等离子体产生部在旋转台的周向上与第1反应气体供给部及第2反应气体供给部分开地设置。

主权项

一种成膜方法，其中该成膜方法包括以下步骤：将基板输入到真空容器内，将上述基板载置在能旋转地设在上述真空容器内的旋转台上；使上述旋转台旋转；吸附－形成－照射步骤，自第1反应气体供给部向上述基板供给第1反应气体，使上述第1反应气体吸附于上述基板，自第2反应气体供给部向上述基板供给与上述第1反应气体反应的第2反应气体，使上述第2反应气体与吸附于上述基板的上述第1反应气体反应，在上述基板上形成反应生成物，向等离子体产生部供给含氢气体，在上述旋转台的上方生成等离子体，向上述反应生成物照射等离子体，该等离子体产生部在上述旋转台的周向上与上述第1反应气体供给部及上述第2反应气体供给部分开地设置。