一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件

摘要

本发明公开了一单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件，包括N型衬底层，用来支撑所述微显示器件；多个发光单元，设置在所述N型衬底层上方，被多条相互交叉的沟槽分隔开；所述沟槽中填有不透明光阑；每个发光单元的下台面设有下电极，顶部设有上电极。本发明的单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件，可以避免正、背面分别做电极带来的工艺困难，具有异面垂直的双条形的上、下电极，可以得到较为均匀的电流分布。

主权项

一种单面电极结构的AlGaInP‑LED集成微显示器件，其特征在于，包括N型衬底层，用来支撑所述微显示器件；多个发光单元，设置在所述N型衬底层上方，被多条相互交叉的沟槽分隔开；所述沟槽中填有不透明光阑；每一行或每一列的多个所述发光单元底部的两侧分别设有条状的下电极；每一列或每一行的所述发光单元上方的两边分别设有条状的上电极；所述上电极与所述下电极的条状方向呈异面垂直。