电阻变化型非易失性存储装置以及存储器单元的形成方法

摘要

电阻变化型非易失性存储装置包括半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及N型MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x

主权项

一种电阻变化型非易失性存储装置，其特征在于，具备：半导体基板；电阻变化元件，由第一电极、第二电极、以及电阻变化层构成，所述电阻变化层介于所述第一电极和所述第二电极之间，并设置为与所述第一电极和所述第二电极相接，并且电阻值根据向所述第一电极和所述第二电极之间施加的极性不同的电压信号可逆地变化；以及MOS晶体管，构成于所述半导体基板的主面；所述电阻变化层具有第一过渡金属氧化物层和第二过渡金属氧化物层，所述第二过渡金属氧化物层的电阻值比所述第一过渡金属氧化物层的电阻值大，将所述MOS晶体管的漏极和所述电阻变化元件的所述第一电极或者所述第二电极的一方连接来构成存储器单元，使得在使所述电阻变化层成为高电阻的极性的电压信号被施加到所述MOS晶体管和所述电阻变化元件时在所述MOS晶体管发生的基板偏置效果，比使所述电阻变化层成为低电阻的极性的电压信号被施加到所述MOS晶体管和所述电阻变化元件时在所述MOS晶体管发生的基板偏置效果小。