形成接触插栓的方法

摘要

一种形成接触插栓的方法，包括：提供基底，基底内具有源区、漏区，基底上形成有栅极结构，源区、漏区位于栅极结构两侧的基底内，栅极结构包括侧墙和栅极，基底内的源区和漏区上形成有金属硅化物；利用无电解镀的方法在金属硅化物上形成预定厚度的导电层；形成层间介质层，覆盖导电层和栅极结构；在层间介质层中形成接触孔，暴露出导电层；在接触孔内填充导电材料，形成接触插栓。本技术方案可以避免两相邻接触插栓因空隙而导致的导通的问题、可以避免或者至少减少刻蚀金属硅化物的损失而造成的接触电阻增大的问题以及接触孔没有完全打开的问题。

主权项

一种形成接触插栓的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内具有源区、漏区，所述基底上形成有栅极结构，所述源区、漏区位于所述栅极结构两侧的基底内，所述栅极结构包括侧墙和栅极，所述基底内的源区和漏区上形成有金属硅化物；利用无电解镀的方法在所述金属硅化物上形成预定厚度的导电层；形成层间介质层，覆盖所述导电层和所述栅极结构；在所述层间介质层中形成接触孔，暴露出所述导电层；在所述接触孔内填充导电材料，形成接触插栓。