一种适用于铜互连的Ru/WHfN抗铜扩散阻挡层及其制备方法

摘要

本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种适用于铜互连的Ru/WHfN抗铜扩散阻挡层及其制备方法。本发明中，抗铜扩散阻挡层采用Ru/WHfN双层结构。由于在WN中加入了Hf，大大提高了WHfN薄膜的结晶温度，使得Ru/WHfN双层阻挡层在750℃高温下退火30分钟后也没有发生铜的扩散。另外，该Ru/WHfN双层阻挡层在方块电阻测试、元素深度剖面图和漏电流测试方面都证明其优于Ru单层阻挡层和Ru/WN双层阻挡层。

主权项

一种适用于铜互连的抗铜扩散阻挡层，其特征在于为Ru/WHfN双层结构，其中，Ru层的厚度为2～8纳米，WHfN层的厚度为1～6纳米。