电子照相感光构件和电子照相设备

摘要

本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。本发明提供：电子照相感光构件和具有该电子照相感光构件的电子照相设备，所述电子照相感光构件具有光导电层、中间层和表面层，其中当所述表面层中的Si+C原子密度由DS×1022原子/cm3表示时，该DS为6.60以上，和当在所述光导电层中沿层厚度方向氢量分布中H/(Si+H)的最大值由HPmax表示，第二光导电区域中H/(Si+H)的平均值由HP2表示时，DS和HP2满足下列表达式(1)以及DS和HPmax满足下列表达式(2)：HP2≥0.07×DS-0.38...表达式(1)HPmax≤-0.04×DS+0.60...表达式(2)。

主权项

一种电子照相感光构件，其包含基体、在所述基体上由氢化非晶硅形成的光导电层、在所述光导电层上由氢化非晶碳化硅形成的中间层和在所述中间层上由氢化非晶碳化硅形成的表面层，其中当在所述表面层中的碳原子数相对于在所述表面层中的硅原子数和碳原子数的总和之比由CS表示时，所述CS为0.61以上至0.75以下，当在所述表面层中的氢原子数相对于在所述表面层中的硅原子数、碳原子数和氢原子数的总和之比由HS表示时，所述HS为0.20以上至0.45以下，和所述表面层的层厚度为0.2μm以上至3.0μm以下；当在所述中间层中的碳原子数相对于在所述中间层中的硅原子数和碳原子数的总和之比由CM表示时，所述CM为0.25以上至0.9×CS以下，当在所述中间层中的氢原子数相对于在所述中间层中的硅原子数、碳原子数和氢原子数的总和之比由HM表示时，所述HM为0.20以上至0.45以下，和所述中间层的层厚度为0.1μm以上至1.0μm以下；当在所述表面层中的硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的总和由DS×1022原子/cm3表示时，所述DS为6.60以上，当在所述中间层中的硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的总和由DM×1022原子/cm3表示时，所述DM小于6.60，和当在所述光导电层中的硅原子的原子密度由DP×1022原子/cm3表示时，所述DP为4.20以上至4.80以下；和当在所述光导电层中沿层厚度方向的氢量分布中氢原子数相对于在所述分布中硅原子数和氢原子数的总和之比的最大值由HPmax表示时，所述DS和所述HPmax满足下列表达式(2)，和当从所述光导电层沿层厚度方向的中间位置的中间层侧中的氢原子数相对于在所述中间层侧的硅原子数和氢原子数的总和之比由HP2表示时，所述DS和所述HP2满足下列表达式(1)：HP2≥0.07×DS‑0.38...表达式(1)HPmax≤‑0.04×DS+0.60...表达式(2)。