发明名称 垂直磁记录介质以及磁记录和再现装置
摘要 本发明的一个目标是,提供一种方法,能够容易地提供一种低成本的、容易设计的ECC型磁记录介质,并且本发明提供一种垂直磁记录介质,其中至少包括在非磁性基底上沉积的软磁性衬背层、衬层、中间层、垂直磁记录层,其中,所述垂直磁记录层包括至少有一层的主记录层和至少有一层的辅助记录层,所述主记录层包括具有垂直磁各向异性的层,所述辅助记录层是多层,包括三层或更多层交替形成的软磁性层和非磁性层,并且与所述非磁性基底相接触的最外的一层是所述软磁性层。
申请公布号 CN101796580B 申请公布日期 2012.11.21
申请号 CN200880105393.5 申请日期 2008.09.04
申请人 昭和电工株式会社 发明人 桥本笃志
分类号 G11B5/66(2006.01)I;G11B5/65(2006.01)I;G11B5/667(2006.01)I;G11B5/673(2006.01)I;G11B5/738(2006.01)I 主分类号 G11B5/66(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 杨晓光;于静
主权项 一种垂直磁记录介质,至少包括在非磁性基底上设置的软磁性衬背层、衬层、中间层、垂直磁记录层,其中,所述垂直磁记录层包括至少一层的主记录层和至少一层的辅助记录层,所述主记录层包括具有垂直磁各向异性的层,所述辅助记录层是多层,包括三层或更多层交替形成的软磁性层和非磁性层,并且相对于所述非磁性基底的最外层是所述软磁性层,其中,构成所述辅助记录层的所述非磁性层和所述软磁性层具有颗粒结构,其中,金属晶粒部分被非磁性氧化物颗粒边界包围,而所述氧化物包含Si、Ti、Ta、Cr、Al、W、Nb、Mg、Ru和Y中的至少一种。
地址 日本东京都