发明名称 |
用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘及其制作工艺 |
摘要 |
本发明公开了一种用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘的制作工艺,包括以下步骤:在纯度≥98%、平均粒径0.5μm以下、具有流动性的碳化硅微粉中添加烧结助剂,采用干式混合法形成混合物;采用干压成型工艺压制成型以形成坯体;对坯体进行高温真空烧结;对烧结后的坯体磨削加工以形成衬托盘。本发明还涉及一种采用上述工艺制作而成的用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘。 |
申请公布号 |
CN101811871B |
申请公布日期 |
2012.11.21 |
申请号 |
CN201010033965.2 |
申请日期 |
2010.01.07 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
殷海波;王晓亮;胡国新;冉军学;肖红领;张露;李晋闽 |
分类号 |
C23C16/44(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/44(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
王新华 |
主权项 |
一种用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘的制作工艺,包括以下步骤:在纯度≥98%、平均粒径0.5μm以下、具有流动性的碳化硅微粉中添加烧结助剂并形成混合物;采用干压成型工艺压制成型以形成坯体;对坯体进行高温真空烧结;对烧结后的坯体磨削加工以形成衬托盘,其中:添加的烧结助剂由碳、硼或硼化物构成,从而混合物的重量百分比组分为:碳化硅90%~95%,碳4%~8%,硼或硼化物1%~2%;在高温真空烧结步骤中,将坯体置于真空烧结炉内,经过2000~2200℃的高温,使其密度增加到3.05~3.10g/cm3。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |