背接触异质结光伏电池

摘要

本发明涉及半导体器件，该半导体器件包括：晶体半导体基板（1），具有前表面（1a）和背表面（1b）；前钝化层（3），设置在基板（1）的前表面（1a）上；后钝化层（2），设置在基板（1）的背表面（1b）上；第一金属化区域（10），设置在后钝化层（2）上且设计为收集电子；第二金属化区域，设计为收集空穴且包括：表面部分（11），设置在后钝化层（2）上；以及内部部分（12），通过后钝化层（2）且在基板（1）中形成一区域，在该区域中电子受主的浓度比基板（1）的其它区域大。本发明还涉及采用该器件的光伏电池模块及制造该器件的工艺。

主权项

一种半导体器件，包括：‑晶体半导体基板（1），具有前表面（1a）和背表面（1b）；‑前钝化层（3），设置在该基板（1）的该前表面（1a）上；‑后钝化层（2），设置在该基板（1）的该背表面（1b）上；‑第一金属化区域（10），设置在该后钝化层（2）上且适合于收集电子；‑第二金属化区域，适合于收集空穴且包括：■表面部分（11），设置在该后钝化层（2）上；以及■内部部分（12），通过该后钝化层（2）且在该基板（1）中形成一区域，在该区域中电子受主的浓度比该基板（1）的其它区域大。