GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明提供一种GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池，包括Si支撑衬底，以及在所述Si支撑衬底表面依次设置的Ge或GaInAs的第一接触层、Ge子电池、第一隧穿结、InGaNAs子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、GaInP子电池和InGaAs或GaAs的第二接触层。本发明还提供一种GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1)提供一GaAs衬底；2)在GaAs衬底表面生长依次生长第二接触层、GaInP子电池、第三隧穿结、GaAs子电池、第二隧穿结、InGaNAs子电池、第一隧穿结、Ge子电池和第一接触层；3)提供一Si支撑衬底；4)将Si支撑衬底键合至第一接触层表面；5）从第二接触层处将GaAs衬底剥离以去除GaAs衬底。

主权项

一种GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池，其特征在于，包括Si支撑衬底，以及在所述Si支撑衬底表面依次设置的Ge或GaInAs的第一接触层、Ge子电池、第一隧穿结、InGaNAs子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、GaInP子电池和InGaAs或GaAs的第二接触层。