发明名称 一种短时间固相烧结技术制备铁基超导体的方法
摘要 本发明公开了一种短时间固相烧结技术制备铁基超导体的方法,步骤包括:在高纯Ar保护气氛下,将Ln和As粉按摩尔比1∶(1~1.1)混合,封装在高真空石英管内进行热处理,最后炉冷至室温,得到LnAs粉末;在高纯氩气保护的手套箱内,粉末LnAs和Fe粉、Fe2O3粉、FeF3粉按摩尔比3∶(1+x)∶(1-x)∶(1.1~1.5)x进行配比、研磨、压制成片,然后在高真空下进行退火处理,炉冷至室温,最终制备出LnO1-xFxFeAs超导体,其中Ln=La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu,0<x<0.6。本发明方法提高铁基超导体性能的同时,提高铁基超导体的制备效率。
申请公布号 CN101880165B 申请公布日期 2012.11.21
申请号 CN201010152369.6 申请日期 2010.04.16
申请人 北京工业大学 发明人 索红莉;刘志勇;马麟;刘敏;叶帅;田辉;袁慧萍;邱火勤;周美玲
分类号 C04B35/622(2006.01)I;C04B35/40(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I 主分类号 C04B35/622(2006.01)I
代理机构 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人 沈波
主权项 一种短时间固相烧结技术制备铁基超导体的方法,其特征在于,所使用的初始原料:稀土元素、砷粉(As)、铁粉(Fe)、氧化铁粉末(Fe2O3)、氟化铁粉末(FeF3);主要包括以下步骤:(1)初始粉末LnAs的制备:在高纯Ar保护气氛下,将需要的稀土粉末(Ln)和As粉按摩尔比1∶(1~1.1)的比例进行称量,充分混合,将混合均匀的原料封装在高真空10‑4~10‑6Pa的石英管内,然后进行热处理,热处理过程依次为:室温~400℃升温速率为1~5℃/min,400℃~600℃升温速率为1~5℃/min,600℃保温3~10小时,600℃~900℃升温速率为1~5℃/min,900℃保温10~25小时,最后炉冷至室温;(2)铁基超导体LnO1‑xFxFeAs的制备:在高纯氩气保护的手套箱内,将第一步中制备好的初始粉末LnAs和Fe粉、Fe2O3粉、FeF3粉按摩尔比3∶(1+x)∶(1‑x)∶(1.1~1.5)x进行配比;将其充分研磨,压制成片状;然后将其在高真空10‑4~10‑6Pa环境下进行退火处理;其中热处理过程依次为:首先0~600℃,升温速率为1~5℃/min;  600℃~900℃,升温速率为1~3℃/min;然后在900℃保温5~15小时;900℃~(1100℃~1200℃),升温速率为1~3℃/min;最后在1100℃~1200℃保温20~30小时;炉冷至室温,最终制备出LnO1‑xFxFeAs超导体,其中Ln=La、Ce、Pr、Nd、Sm,0<x<0.6。
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