发明名称 |
具有两结锗子电池的四结太阳能电池及其制备方法 |
摘要 |
具有两结锗子电池的四结太阳能电池及其制备方法,涉及一种太阳能电池。所述电池设有第一结Ge子电池、第二结Ge子电池、第三结InGaAs子电池、第四结InGaP子电池和接触层;第一结Ge子电池构建在Ge衬底上,Ge衬底作为第一结Ge子电池的基区,第二结Ge子电池与第一结Ge子电池之间由第一隧穿结连接,第三结InGaAs子电池与第二结Ge子电池之间由第二隧穿结连接,第四结InGaP子电池与第三结InGaAs子电池之间由第三隧穿结连接,接触层设在第四结InGaP子电池上。将Ge电池分作两结串联的Ge子电池,实现电池的电流匹配和晶格匹配,解决电流不匹配的问题,还有效提高电池的开路电压和电池的转换效率。 |
申请公布号 |
CN102790121A |
申请公布日期 |
2012.11.21 |
申请号 |
CN201210283318.6 |
申请日期 |
2012.08.09 |
申请人 |
厦门大学 |
发明人 |
陈松岩;李欣;刘蕊;刘晶晶;孙钦钦 |
分类号 |
H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0687(2012.01)I |
代理机构 |
厦门南强之路专利事务所 35200 |
代理人 |
马应森 |
主权项 |
具有两结锗子电池的InGaP/InGaAs/Ge/Ge四结太阳能电池,其特征在于设有第一结Ge子电池、第二结Ge子电池、第三结InGaAs子电池、第四结InGaP子电池和接触层;所述第一结Ge子电池构建在Ge衬底上,Ge衬底作为第一结Ge子电池的基区,所述第二结Ge子电池与第一结Ge子电池之间由第一隧穿结连接,所述第三结InGaAs子电池与第二结Ge子电池之间由第二隧穿结连接,所述第四结InGaP子电池与第三结InGaAs子电池之间由第三隧穿结连接,所述接触层设在第四结InGaP子电池上。 |
地址 |
361005 福建省厦门市思明南路422号 |