发明名称 |
一种改善恢复软度特性的二极管 |
摘要 |
本实用新型提供一种改善恢复软度特性的二极管,所述二极管包括第一本征外延层、高掺杂浓度外延层、第二本征外延层和低掺杂浓度外延层的四层复合工艺结构,从而在二极管工作在反向恢复的过程时,PN结经过少数载流子存储时间后,相比低浓度掺杂外延区,高浓度掺杂外延层能够提供更多用于复合的载流子,使得复合时间相应增加,电流、电压变化较为平缓,从而获得更大的复合时间和存储时间的比值,进而提高了二极管的软度因子。进一步的,采用改进外延工艺改善恢复软度特性的二极管,在保证反向恢复时间不改变的前提下,软度因子能够由0.5提高到1.2,从而更加适合应用于快速整流电路。 |
申请公布号 |
CN202549847U |
申请公布日期 |
2012.11.21 |
申请号 |
CN201220197253.9 |
申请日期 |
2012.05.03 |
申请人 |
杭州士兰集成电路有限公司 |
发明人 |
王明辉;贾文庆;王平 |
分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种改善恢复软度特性的二极管,包括:半导体衬底,所述半导体衬底为第一类型;第一本征外延层,位于所述半导体衬底上;高掺杂浓度外延层,位于所述第一本征外延层上;第二本征外延层,位于所述高掺杂浓度外延层上;低掺杂浓度外延层,位于所述第二本征外延层上;第二类型掺杂区,形成于所述低掺杂浓度外延层上;以及第二类型重掺杂区,形成于所述第二类型掺杂区。 |
地址 |
310018 浙江省杭州市浙江省杭州(下沙)经济技术开发区东区10号路308号 |