用于控制工艺过程腔室内的基片表面温度的装置和方法

摘要

本发明涉及一种控制基片(9)的表面温度的方法，该基片在CVD-反应器的工艺过程腔室(12)中由基片保持器承载件(1)安放在由气流形成的动态气垫(8)所承载的基片保持器(2)上，其中，向所述基片(9)的热量输送至少部分通过经由所述气垫的热传导进行。为减小基片的表面温度与平均值的侧向偏差，本发明建议，形成所述气垫(8)的气流由两种或多种具有不同大小的比导热率的气体(17，18)形成，并且组分根据所测得的基片温度改变。

主权项

一种用于控制至少一个基片(9)的表面温度的方法，所述基片安放于在CVD‑反应器的工艺过程腔室(12)中嵌入基片保持器承载件(1)的支承凹槽(20)中的、由气流形成的动态气垫(8)所承载的基片保持器(2)上，其中，向所述基片(9)的热量输送至少部分通过经由所述气垫的热传导进行，其中，在所述基片的表面上的多个位置处测量所述基片的温度，并且，为减小这些温度与平均值的差距，如此地改变所述气垫的热传递特性，使得形成所述支承凹槽(20)的底面和所述基片保持器(2)的下侧之间的所述气垫(8)的气流由两种或多种具有不同大小的比导热率的气体(17，18)形成，其中，组分根据所测得的温度改变，其中，这样地选择所述基片保持器(2)的导热率并且这样地构造所述基片保持器(2)的下侧以及所述支承凹槽(20)的底面，使得所述基片的表面温度在仅使用两种气体(17，18)的一种时具有旋转对称的侧向不均匀性，该不均匀性通过改变所述气流的组分得到补偿或过补偿。