发明名称 |
薄膜晶体管像素结构及薄膜晶体管显示装置 |
摘要 |
一种薄膜晶体管像素结构和薄膜晶体管显示装置,所述薄膜晶体管像素结构包括:薄膜晶体管,包括:栅极、源极和漏极,其中漏极位于栅极的边界以内,且漏极各边缘与栅极对应边缘的距离大于等于偏移阈值,漏极与像素电极通过第一导线电性连接;栅漏寄生电容,包括:栅漏寄生电容第一电极、第一介质层和栅漏寄生电容第二电极;补偿电容,包括:补偿电容第一电极、第二介质层和补偿电容第二电极,所述补偿电容与栅漏寄生电容并联,并且所述补偿电容和所述栅漏寄生电容并联后的总电容值始终是定值。本发明不需要对每个产品作公共电极层电压的调制工作。 |
申请公布号 |
CN102790093A |
申请公布日期 |
2012.11.21 |
申请号 |
CN201110125742.3 |
申请日期 |
2011.05.16 |
申请人 |
上海天马微电子有限公司 |
发明人 |
吴天一;马骏 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/167(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G09G3/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种薄膜晶体管像素结构,其特征在于,包括:扫描线;数据线,与所述扫描线垂直;像素电极;薄膜晶体管,包括:栅极,与所述扫描线电性连接;源极,与所述数据线电性连接;漏极,位于所述栅极的边界以内,且所述漏极各边缘与所述栅极对应边缘的距离大于或等于偏移阈值,所述漏极与所述像素电极通过第一导线电性连接。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区汇庆路889号 |