| 发明名称 | 一种溶液沉积制备聚3-己基噻吩取向有序薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种溶液沉积制备聚3-己基噻吩取向有序薄膜的方法，属于制备共轭聚合物取向有序薄膜领域。解决现有的制备聚噻吩取向有序薄膜的方法要对基底进行前处理的问题。该方法将第一溶剂和第二溶剂混合，形成混合溶剂，所述的第一溶剂为甲苯，第二溶剂为二甲苯，异丙苯或1，3，5-三甲苯；然后将P3HT加入混合溶剂中，得到P3HT溶液；通过溶液定向沉积装置向移动的基底表面沉积P3HT溶液，溶液干燥后得到P3HT的取向有序薄膜。该方法不需要对基底预处理，简化了加工步骤并提高了加工效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102786703A | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
| 申请号 | CN201210253870.0 | 申请日期 | 2012.07.20 |
| 申请人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明人 | 韩艳春;高翔;邢汝博;刘剑刚 |
| 分类号 | C08J5/18(2006.01)I;C08L65/00(2006.01)I;C08G61/12(2006.01)I | 主分类号 | C08J5/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人 | 陶尊新 |
| 主权项 | 一种溶液沉积制备聚3‑己基噻吩取向有序薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将第一溶剂和第二溶剂混合，形成混合溶剂，所述的第一溶剂为甲苯，第二溶剂为二甲苯、异丙苯或1，3，5‑三甲苯；（2）将聚3‑己基噻吩加入步骤（1）得到的混合溶剂中，得到聚3‑己基噻吩溶液；（3）通过溶液定向沉积装置向移动的基底表面沉积步骤（2）得到的聚3‑己基噻吩溶液，基底的温度为15℃～50℃，基底移动速度为10微米/秒～150微米/秒，溶液干燥后得到聚3‑己基噻吩的取向有序薄膜。 | ||
| 地址 | 130022 吉林省长春市朝阳区人民大街5625号 | ||