发明名称 | 生长衬底及发光器件 | ||
摘要 | 本发明公开了一种生长衬底以及发光器件。所述发光器件包括:硅衬底;第一缓冲层,设置在所述硅衬底上并具有暴露所述硅衬底的部分;第二缓冲层,覆盖所述第一缓冲层以及所述硅衬底的露出部分,其中所述第二缓冲层由引起与所述硅衬底的共晶反应的材料形成;第三缓冲层,设置在所述第二缓冲层上;以及发光结构,设置在所述第三缓冲层上,且所述第二缓冲层包含有空隙。本发明的生长衬底以及发光装置能够减小应变而具有改良的品质。 | ||
申请公布号 | CN102790148A | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
申请号 | CN201210024969.3 | 申请日期 | 2012.01.31 |
申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 李定植 |
分类号 | H01L33/12(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;郑小军 |
主权项 | 一种生长衬底,包括:基底;第一缓冲层,设置在所述基底上并具有暴露所述基底的多个部分;第二缓冲层,覆盖所述第一缓冲层以及所述基底的多个露出部分,其中所述第二缓冲层由引起与所述基底的共晶反应的材料形成;以及第三缓冲层,设置在所述第二缓冲层上;其中所述第二缓冲层包含有多个空隙。 | ||
地址 | 韩国首尔 |