发明名称 |
宽带电调衰减器 |
摘要 |
本实用新型公开了一种宽带电调衰减器,包括集成在一基片上的驱动电路和衰减电路,所述衰减电路由五个级联的衰减单元构成,所述衰减单元包括一个衰减器和两个SPDT模块,所述SPDT模块包括公共端、第一掷点和第二掷点,两个第一掷点分别与衰减器的两端相连,两个第二掷点相互连接,衰减单元间通过SPDT模块的公共端相连,所述驱动电路对衰减电路采用5位TTL电平控制。本实用新型的宽频带、插损小、衰减精度高、反映时间快、工作电流小、体积小,大大减小了体积和工作电流,避免了电缆的使用,衰减电路的输入端和输出端连接SMA插拔式座,减少了产品的成本又提高了产品的可靠性和通用性。 |
申请公布号 |
CN202551017U |
申请公布日期 |
2012.11.21 |
申请号 |
CN201220119566.2 |
申请日期 |
2012.03.27 |
申请人 |
成都拓来微波技术有限公司 |
发明人 |
何胜 |
分类号 |
H04B1/26(2006.01)I;H03H11/24(2006.01)I |
主分类号 |
H04B1/26(2006.01)I |
代理机构 |
成都蓉信三星专利事务所 51106 |
代理人 |
马文峰 |
主权项 |
一种宽带电调衰减器,其特征在于:包括集成在一基片上的驱动电路和衰减电路,所述衰减电路由五个级联的衰减单元构成,所述衰减单元包括一个衰减器和两个SPDT模块,所述SPDT模块包括公共端、第一掷点和第二掷点,两个第一掷点分别与衰减器的两端相连,两个第二掷点相互连接,衰减单元间通过SPDT模块的公共端相连,所述驱动电路对衰减电路采用5位TTL电平控制。 |
地址 |
610000 四川省成都市高新区石羊工业园 |