发明名称 碲化镉薄膜太阳电池的制造方法
摘要 本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳电池的制造方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:(1)采用铜薄板或不锈钢薄板作为碲化镉薄膜太阳电池的背电极,用丝网印刷方法在金属板上涂覆p型碲化镉浆料,制作p型碲化镉膜层。涂覆的P型层退火温度控制在600℃,退火时间为40分钟,然后升温至850℃维持1小时。(2)在p型碲化镉膜层上制作中间过渡层和n型硫化镉窗口层,形成p-n结。(3)在窗口层硫化镉膜层上蒸镀或印刷梳状前电极;(4)前后电极连线和焊接,完成碲化镉薄膜太阳电池的制造。该方法简便,易于规模生产化,可以推动规模化生产和较大幅度降低碲化镉薄膜太阳电池成本和价格,而且能提高电池光电转换效率。
申请公布号 CN101931031B 申请公布日期 2012.11.21
申请号 CN201010233400.9 申请日期 2010.07.22
申请人 西交利物浦大学 发明人 吴洪才
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人 范晴
主权项 一种碲化镉薄膜太阳电池的制造方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:(1)采用金属板作为碲化镉薄膜太阳电池的背电极,用丝网印刷方法在金属板上涂覆p型碲化镉浆料,将涂有浆料的金属板放置到退火炉中,在保护气氛中进行退火处理,退火温度控制在600℃退火30~60分钟,然后升温至800~900℃维持1~2小时,制作得到p型碲化镉膜层;所述p型碲化镉浆料包括碲化镉和碲的混合物,所述碲化镉和碲的重量比为100∶1;(2)在p型碲化镉膜层上制备碲化镉纳米层和n型硫化镉窗口层,形成p‑n结;(3)在窗口层硫化镉膜层上蒸镀或印刷梳状前电极;焊接和连线前后电极完成碲化镉薄膜太阳电池的制备。
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