半导体器件的制造方法

摘要

本发明涉及用树脂保护膜覆盖着半导体衬底的底面及侧面的半导体器件的制造方法。首先，在与划片道及其两侧对应的部分的半导体晶片及密封膜等上形成槽。在此状态下，通过形成槽，半导体晶片被分离为各个硅衬底。接着，在包含槽内在内的各硅衬底的底面形成树脂保护膜。在此情况下，半导体晶片被分离为各个硅衬底，但是由于在柱状电极及密封膜的上表面间隔着粘接剂层粘贴了支撑板，所以能够使得在形成树脂保护膜时，包含分离的各个硅衬底的整体不易翘曲。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包含以下步骤：准备下述构件：在一面上形成了集成电路的半导体晶片的该一面上形成了绝缘膜，在上述绝缘膜上与上述集成电路连接地形成了布线，在上述布线的电极用连接焊盘部上形成了外部连接用凸起电极，在上述外部连接用凸起电极的周围形成了密封膜；在上述外部连接用凸起电极及上述密封膜上，间隔着粘接剂层粘贴具有多个小孔的支撑板；在粘贴上述支撑板之后，研磨上述半导体晶片的底面侧而使该半导体晶片的厚度变薄；在研磨上述半导体晶片之后，剥离被设置在上述支撑板的与设置了上述粘接剂层的面相反侧的面上的保护带；在与划片道及其两侧对应的部分的上述半导体晶片的底面侧，形成到达上述密封膜的厚度的中间位置的槽；在包含上述槽内的上述半导体晶片的底面，形成树脂保护膜；从上述支撑板的小孔浸透剥离液来溶解并除去上述粘接剂层，由此从上述外部连接用凸起电极及上述密封膜上分离上述支撑板；以比上述槽的宽度小的宽度，切断上述密封膜及上述树脂保护膜。