TFT-LCD阵列基板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。该制造方法包括：在透明基板上依次沉积透明导电薄膜、源漏金属薄膜及掺杂半导体薄膜，通过第一构图工艺形成包括掺杂半导体层、源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；沉积半导体薄膜，通过第二构图工艺形成包括TFT沟道和半导体层的图形；沉积绝缘薄膜和栅金属薄膜，通过第三构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形。本发明通过三次构图工艺制造了顶栅极结构的TFT-LCD阵列基板，相比现有的三次构图工艺制造阵列基板的方法，本发明无需进行离地剥离工艺，极大的简化了工艺难度，提高了产品的良品率。

主权项

一种TFT‑LCD阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括栅电极区域、数据线区域、半导体层区域，源电极区域、漏电极区域、栅线区域及像素电极区域，其特征在于，包括：步骤1：在透明基板上依次沉积透明导电薄膜、源漏金属薄膜及掺杂半导体薄膜，通过第一构图工艺形成包括掺杂半导体层、源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；具体包括：提供透明基板；在所述透明基板上依次沉积透明导电薄膜、源漏金属薄膜及掺杂半导体薄膜；在掺杂半导体薄膜上涂敷光刻胶；通过双调掩模板对所述光刻胶进行曝光及显影处理，使得所述数据线区域、源电极区域及漏电极区域的光刻胶具有第一厚度，所述像素电极区域的光刻胶具有第二厚度，所述第一厚度大于第二厚度，其余区域不存在光刻胶；通过第一刻蚀工艺完全刻蚀掉所述其余区域的掺杂半导体薄膜、源漏金属薄膜和透明导电薄膜；通过灰化工艺去除第二厚度的光刻胶，暴露出所述像素电极区域的掺杂半导体薄膜；通过第二刻蚀工艺完全刻蚀掉所述像素电极区域的掺杂半导体薄膜、源漏金属薄膜；剥离剩余光刻胶；步骤2：沉积半导体薄膜，通过第二构图工艺形成包括TFT沟道和半导体层的图形；具体包括：沉积半导体薄膜；在所述半导体薄膜上涂覆光刻胶；通过掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理，仅在所述半导体层区域保留 光刻胶；通过第三刻蚀工艺刻蚀掉暴露出的半导体薄膜；剥离剩余光刻胶；步骤3：沉积绝缘薄膜和栅金属薄膜，通过第三构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形。