| 发明名称 |
一种电子发射体的制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种电子发射体的制备方法，其包括以下步骤：提供一线状支撑体；提供至少一碳纳米管膜或至少一碳纳米管线，将所述至少一碳纳米管膜或至少一碳纳米管线缠绕在所述线状支撑体表面形成一碳纳米管层；移除所述线状支撑体，得到一由碳纳米管层围成的管状碳纳米管预制体；以及将该管状的碳纳米管预制体熔断获得电子发射体。 |
| 申请公布号 |
CN102024639B |
申请公布日期 |
2012.11.21 |
| 申请号 |
CN201010564718.5 |
申请日期 |
2010.11.29 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
魏洋;范守善 |
| 分类号 |
H01J9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J9/02(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种电子发射体的制备方法，其包括以下步骤：提供一线状支撑体；提供至少一碳纳米管膜或至少一碳纳米管线，将所述至少一碳纳米管膜或至少一碳纳米管线缠绕在所述线状支撑体表面形成一碳纳米管层；移除所述线状支撑体，得到一由碳纳米管层围成的管状碳纳米管预制体；以及将该管状的碳纳米管预制体熔断获得电子发射体。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
