埋入式位线结构、具其之场效晶体管结构及其制法

摘要

本发明公开一种埋入式位线结构、具其之场效晶体管结构及其制法，其中，基底包括具有原始上表面的绝缘层及位于绝缘层原始上表面上的半导体层。位线设置于沟槽下部的主动区的一侧。位线包括第一部分及第二部分。第一部分位于绝缘层中并低于绝缘层的原始上表面。第二部分设置于第一部分上以与主动区的半导体层电连接。绝缘衬层设置于位线的第一部分上，并位于位线的第二部分与跟主动区相对的基底的半导体层之间以供隔离。一STI设置于沟槽内以围绕主动区以供隔离。

主权项

一种埋入式位线结构，包括：基底，其包括具有一原始上表面的绝缘层及位于该绝缘层原始上表面上的半导体层，其中该基底包括主动区；沟槽，其围绕该主动区并向下穿过该半导体层至该绝缘层中；位线，其设置于该沟槽的下部的该主动区的一侧，其中该位线包括第一部分及第二部分，该第一部分设置于该绝缘层中并低于该绝缘层原始上表面，该第二部分设置于该第一部分上以与该主动区的该半导体层电连接；绝缘衬层，其设置于该位线的该第一部分上，及位于该位线的该第二部分与跟该主动区对面的该基底的该半导体层之间以供隔离；及浅沟隔离结构，其设置于该沟槽内以围绕该主动区以供隔离。