| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法及制造第一和第二半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体结构及其制造方法及制造第一和第二半导体器件的方法。提供具有高介电常数金属栅极器件和氧化物-多晶硅栅极器件的组合衬底的半导体结构，以及提供这种半导体结构的制造工艺。半导体结构使能在相同芯片上支持混合的低功率/低电压和高功率/高电压的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN102790053A | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
| 申请号 | CN201210064625.5 | 申请日期 | 2012.03.13 |
| 申请人 | 美国博通公司 | 发明人 | 陈向东;夏为 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 田喜庆 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其特征在于，包括：带有浅沟槽隔离构造的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的具有高介电常数金属栅极的第一器件；以及在所述半导体衬底上形成的具有氧化物‑多晶硅栅极的第二器件；其中所述第一器件和所述第二器件由所述浅沟槽隔离构造分隔开。 | ||
| 地址 | 美国加州尔湾市奥尔顿公园路16215号92618-7013 | ||