| 发明名称 | 一种GaN基LED芯片的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有低串联电阻和良好p型欧姆接触的GaN基LED制作方法，包括步骤：1）提供一GaN基LED外延片；2）清洁所述GaN基LED外延片，并将其干燥；3）在所述外延片p-GaN表面上沉积一镓空位诱导层；4）将前述GaN基LED外延片进行退火；5）去除所述GaN基LED外延片表面的镓空位诱导层；6）在经过以上处理的GaN基LED外延片上制作p型欧姆接触层以及P、N电极；7）将所述GaN基LED外延片分割成LED芯粒。 | ||
| 申请公布号 | CN102789976A | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
| 申请号 | CN201210308097.3 | 申请日期 | 2012.08.28 |
| 申请人 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发明人 | 陈顺平;潘群峰;曾晓强;黄少华 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/324(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种GaN基LED芯片制作方法，包括步骤：1）提供一GaN基LED外延片，包括n‑GaN层、发光层和p‑GaN层；2）清洁所述GaN基LED外延片，并将其干燥；3）在所述外延片p‑GaN表面上沉积一镓空位诱导层；4）将前述GaN 基LED外延片进行退火，提高p‑GaN表面空穴浓度；5）去除所述GaN 基LED外延片表面的镓空位诱导层；6）在经过以上处理的GaN 基LED外延片上制作p型欧姆接触层以及P、N电极；7）将所述GaN 基LED外延片分割成LED芯粒。 | ||
| 地址 | 361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号 | ||