发明名称 半导体装置及其驱动方法
摘要 一种半导体装置,其包括光电二极管、第一晶体管、第二晶体管、以及第三晶体管。第二晶体管和第三晶体管具有保持累积在第一晶体管的栅极中的电荷的功能。在第二晶体管和第三晶体管处于截止的期间中,将施加到第二晶体管的栅极的电压的电压电平设定为比第二晶体管的源极的电压电平和第二晶体管的漏极的电压电平低,并将施加到第三晶体管的栅极的电压的电压电平设定为比第三晶体管的源极的电压电平和第三晶体管的漏极的电压电平低。
申请公布号 CN102792678A 申请公布日期 2012.11.21
申请号 CN201180012776.X 申请日期 2011.02.09
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 黑川义元;池田隆之;上妻宗广;青木健
分类号 H04N5/374(2006.01)I;G01J1/44(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H04N5/374(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 刘倜
主权项 一种半导体装置,包括:光电二极管;第一晶体管;第二晶体管;第三晶体管;以及第四晶体管,其中,所述光电二极管的第一端与所述第二晶体管的第一端电连接,所述第二晶体管的第二端与所述第一晶体管的栅极以及所述第三晶体管的第一端电连接,所述第一晶体管的第一端与所述第四晶体管的第一端电连接,在第一期间中,与入射到所述光电二极管的入射光的量对应的电荷被累积到所述第一晶体管的栅极,在第二期间中,当第一电压被供应到所述第二晶体管的栅极并且第二电压被供应到所述第三晶体管的栅极时,所述电荷被保持在所述第一晶体管的栅极中,并且,所述第一电压的电压电平比所述第二晶体管的第一端的电压电平和所述第二晶体管的第二端的电压电平低,并且所述第二电压的电压电平比所述第三晶体管的第一端的电压电平和所述第三晶体管的第二端的电压电平低。
地址 日本神奈川