一种In₂O₃/SnO₂多孔道结构气敏材料的制备方法

摘要

本发明是一种In2O3/SnO2多孔道结构气敏材料的制备方法。将市售In2O3和SnO2粉按4∶1或7∶3或3∶2的比例在钢模中进行压制成素坯，然后将素坯装入氧气氛烧结炉中进行固相烧结，最终获得多孔道结构In2O3/SnO2气敏材料。该方法通过对烧结温度的调控来获得孔型规整的微米及亚微米级孔道结构In2O3/SnO2气敏材料，一方面通过多孔道结构增加比表面积以提高气敏性，另一方面通过调控/SnO2的量来提高对不同气体的选择性。最终获得灵敏度高、选择性强的多孔道结构气敏材料。本发明所采用的方法具有原料准备简单、成本低、易控制、生产清洁等优点。

主权项

一种In2O3/SnO2多孔道结构气敏材料的制备方法，其特征在于：将市售In2O3和SnO2粉按4∶1或7∶3或3∶2的比例在钢模中压制成素坯，然后将素坯装入氧气氛烧结炉中进行固相烧结，获得多孔道结构In2O3/SnO2气敏材料；原位烧结生长氧气氛烧结条件：升温速率50‑500℃/h；保温分为两段，第一段温度范围600‑700℃，第二段温度范围1250‑1450℃；保温时间1‑5小时，氧气流量3‑8L/min；市售In2O3和SnO2粉的粉末粒度在50‑500nm之间，纯度达到99.995％；钢模压制的压制压力为：60‑90MPa，保压时间：2‑5min。