一种复晶电容器的制作方法与结构

摘要

本发明提供一种复晶电容器的制作方法与结构。首先，提供一基底，其上具有至少一预定的电容器区域，且基底包含有复数个第一层金属导线，一第一内金属介电层系覆盖第一层金属导线，以及复数个第一导体插塞系贯穿第一内金属介电层以分别与该复数个第一层金属导线电连接。然后，于第一内金属介电层表面上定义形成复数个第二层复晶矽导线，使复数个第二层复晶矽导线分别位于复数个第一导体插塞顶部，其中位于电容器区域内之第二层复晶矽导线系用作为一复晶矽下电极板。接着，于第一内金属介电层与复数个第二层复晶矽导线之曝露表面上形成一电容介电层。随后，于电容介电层表面上定义形成一复晶矽上电极板，使复晶矽上电极板位于电容器区域内且位于复晶矽下电极板上方。如此，即形成了复晶电容器。

主权项

一种复晶电容器的制作方法，其至少包括下列步骤：提供一基底，其上具有至少一预定的电容器区域，且该基底包含有复数个第一层金属导线，一第一内金属介电层系覆盖该复数个第一层金属导线，以及复数个第一导体插塞系贯穿该第一内金属介电层以分别与该复数个第一层金属导线电连接；于该第一内金属介电层表面上定义形成复数个第二层复晶矽导线，该复数个第二层复晶矽导线系分别位于该复数个第一导体插塞顶部，其中位于该电容器区域内之该第二层复晶矽导线系用作为一复晶矽下电极板；于该第一内金属介电层与该复数个第二层复晶矽导线之曝露表面上形成一电容介电层；以及于该电容介电层表面上定义形成一复晶矽上电极板，该复晶矽上电极板系位于该电容器区域内且位于该复晶矽下电极板上方。