发明名称 一种高效倒装五结太阳能电池及其制备方法
摘要 本发明公开了一种高效倒装五结太阳能电池及其制备方法,该结构至上而下包括下面各子电池:倒装生长的(Al)GaInP第一子电池;倒装生长的AlGaAs(P)第二子电池,晶格常数与第一子电池匹配;倒装生长的Ga(In)As(P)第三子电池,晶格常数与第二子电池匹配;倒装生长的Ga1-XInXAs第四子电池,晶格常数大于第三子电池;倒装生长的Ga1-yInyAs第五子电池,晶格常数大于第二子电池;第一渐变缓冲层,位于所述第三、第四子电池之间,组分渐变;第二渐变缓冲层,位于所述第四、第五子电池之间,组分渐变。此太阳能电池结构合理配置了各子电池的带隙,在拓宽太阳能吸收范围的同时能够实现各结电池电流匹配,运用此方法能够制备出高晶格质量、低位错密度、电流匹配的高效倒装五结太阳能电池。
申请公布号 CN102790134A 申请公布日期 2012.11.21
申请号 CN201210297864.5 申请日期 2012.08.21
申请人 天津三安光电有限公司 发明人 毕京锋;林桂江;刘建庆;丁杰
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/076(2012.01)I;H01L31/0735(2012.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种高效倒装五结太阳能电池的制备方法,包括步骤:提供生长衬底,用于半导体外延生长;在所述生长衬底上倒装生长(Al)GaInP第一子电池,晶格与衬底匹配;在所述第一子电池上倒装生长AlGaAs(P)第二子电池,晶格与第一子电池匹配;在所述第二子电池上倒装生长Ga(In)As(P)第三子电池,晶格与第二子电池匹配;在所述第三子电池上生长第一渐变缓冲层,组分渐变;在所述第一渐变缓冲层上倒装生长Ga1‑XInXAs第四子电池,晶格常数大于第三子电池;在所述第四子电池上生长第二渐变缓冲层,组分渐变;在所述第二渐变缓冲层上倒装生长Ga1‑yInyAs第五子电池,晶格常数大于第四子电池;提供一支撑基板,将其安装在第五子电池的顶部;移除所述生长衬底。
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