| 发明名称 |
基于蓝宝石剥离的薄膜GaN芯片的制造方法 |
| 摘要 |
本发明公开了一种基于蓝宝石剥离的薄膜GaN芯片的制造方法，涉及半导体发光器件的制备工艺，该方法能解决在剥离蓝宝石衬底过程中导致的外延薄膜破裂的问题。该制造方法包括以下步骤：刻蚀蓝宝石衬底上的外延层；在刻蚀的外延层上制备反射层材料，并进行合金；与永久支撑基板键合；在永久支撑基板的另一侧采用树脂与第二基板进行固化；激光剥离蓝宝石衬底；剥离后去除第二基板和树脂，第二基板也可在激光剥离前去掉。本发明可以使GaN薄膜芯片的成品率提高。 |
| 申请公布号 |
CN102790139A |
申请公布日期 |
2012.11.21 |
| 申请号 |
CN201110132454.0 |
申请日期 |
2011.05.19 |
| 申请人 |
易美芯光(北京)科技有限公司;晶能光电(江西)有限公司 |
发明人 |
朱浩;曲晓东;赵汉民;闫占彪;刘硕;陈栋 |
| 分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L21/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种基于蓝宝石剥离的薄膜GaN芯片的制造方法，其特征在于包括以下步骤：刻蚀蓝宝石衬底上的外延层；在刻蚀的外延层上制备反射层材料，并进行合金；与永久支撑基板键合；在永久支撑基板的另一侧采用树脂与第二基板进行固化；激光剥离蓝宝石衬底；剥离后去除第二基板和树脂。 |
| 地址 |
101111 北京市亦庄经济技术开发区科创十四街99号汇龙森科技园2号楼4层 |
