VDMOS晶体管兼容LDMOS晶体管及其制作方法

摘要

一种VDMOS晶体管兼容LDMOS晶体管的制作方法，包括：提供具有LDMOS晶体管区和VDMOS晶体管区的衬底；在衬底内形成N埋层区域；在N埋层区域上形成外延层；在LDMOS晶体管区VDMOS晶体管区形成隔离区；在LDMOS晶体管区形成漂移区；在LDMOS晶体管区和VDMOS晶体管区形成栅极；在LDMOS晶体管区VDMOS晶体管区形成PBODY区；在LDMOS晶体管区形成N型GRADE区；在VDMOS晶体管区形成NSINK区，所述NSINK区与N埋层区域连通；在LDMOS晶体管区VDMOS晶体管区形成源极和漏极；在LDMOS晶体管区形成P+区，P+区与源极相接。本发明实现了高压和大电流的性能需求。

主权项

一种VDMOS晶体管兼容LDMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有LDMOS晶体管区和VDMOS晶体管区；向衬底注入离子，形成N埋层区域；在N埋层区域上形成外延层后，向外延层注入离子，在LDMOS晶体管区形成N阱和P阱，在VDMOS晶体管区形成高压N阱；在LDMOS晶体管区的N阱和P阱交界处及LDMOS晶体管区和VDMOS晶体管区交界处形成隔离区；在LDMOS晶体管区的Ｐ阱区域形成漂移区；在LDMOS晶体管区的Ｐ阱区域的部分外延层和部分漂移区上，以及在VDMOS晶体管区形成栅极；在LDMOS晶体管区的栅极和隔离区之间的外延层内，以及在VDMOS晶体管区的栅极之间的外延层内形成PBODY区；在LDMOS晶体管区的漂移区之间的外延层内注入N型离子，并经过退火工艺后，使N型离子扩散均匀且深度加大，形成Ｎ型GRADE区；在VDMOS晶体管区的隔离区与邻近栅极之间的外延层内注入N型离子，形成NSINK区，所述NSINK区与Ｎ埋层区域连通；在LDMOS晶体管区的PBODY区内形成源极，在N型GRADE区内形成漏极，以及在VDMOS晶体管区的PBODY区内形成源极，在NSINK区内形成漏极；在LDMOS晶体管区的PBODY区形成P+区，所述P+区与源极相接。