一种厚膜TM-SOI硅片的制备方法

摘要

本发明公开了一种厚膜TM-SOI硅片的制备方法，属于SOI制备技术领域。该方法首先将TM-SOI形成的SOI硅片，采用化学机械抛光方法，经过粗磨、细磨及抛光将其表面的损伤层全部研磨掉，形成薄膜SOI硅片；然后采用HCl化学刻蚀除去薄膜SOI硅片表面的自然氧化层及杂质，获得高质量的SOI硅片；淀积温度下，通入硅淀积化学原料和掺杂源，淀积所要的薄膜；除去硅淀积化学源和掺杂源后，得到顶层硅膜厚为1-20μm的厚膜SOI硅片。采用本发明方法，既可以去除TM-SOI工艺后SOI顶层硅表面的损伤层及粗糙现象，同时能够简洁高效的实现顶层硅厚度大于1μm，均匀性极好的SOI的制备。

主权项

一种厚膜TM‑SOI硅片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）将TM‑SOI形成的SOI硅片，采用化学机械抛光方法，经过粗磨、细磨及抛光将其表面的损伤层全部研磨掉，形成薄膜SOI硅片；（2）采用HCl化学刻蚀除去薄膜SOI硅片表面的自然氧化层及杂质，同时减小其粗糙度，获得高质量的SOI硅片；（3）淀积温度下，通入硅淀积化学原料和掺杂源，淀积所要的薄膜；（4）吹入氢气去除硅淀积化学源和掺杂源后，冷却至室温；（5）充入氮气，吹走氢气，得到顶层硅膜厚为1‑20μm的厚膜SOI硅片。