发明名称 一种真空镀膜装置、真空镀膜控制系统及控制方法
摘要 本发明公开了一种真空镀膜装置、真空镀膜控制系统及控制方法,真空镀膜装置包括真空腔体、真空泵和低温泵,真空腔体的顶部设有伞架,伞架上放置待镀膜的基片,真空腔体内设有e型电子枪,e型电子枪上设有排列成圈并可沿圆心转动的坩埚,坩埚内放有镀膜材料,在坩埚加热位的上方设有挡板,低温泵与真空腔体的连接管上设有插板阀,本发明在电子枪的电子束流轨迹控制中采用分区控制原理,在各区间分别控制X轴扫描线圈和Y轴扫描线圈的电流频率,继而控制电子束流在镀膜材料表面各区块的扫描时间,解决了氧化物材料蒸发不均匀产生的深坑现象,有效防止坩埚损坏或基片报废。
申请公布号 CN102787299A 申请公布日期 2012.11.21
申请号 CN201210164106.6 申请日期 2012.05.21
申请人 杭州大和热磁电子有限公司 发明人 刘黎明;陈军;关永卿;洪婧;陈虹飞;田俊杰;汪文忠;邓凤林;郑栋;将卫金;赵山泉
分类号 C23C14/30(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I 主分类号 C23C14/30(2006.01)I
代理机构 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人 尉伟敏
主权项 一种真空镀膜装置,包括真空腔体(1)、与真空腔体连接的真空泵(2)和低温泵(3),所述真空腔体的顶部设有伞架(4),所述伞架上放置待镀膜的基片(5),在真空腔体的下部设有e型电子枪(6),在电子枪内设有坩埚(7),所述坩埚内放有镀膜材料,真空腔体上设有观察窗(8),其特征在于:所述e型电子枪内设有排列成一圆圈并可沿圆心转动的坩埚位,所述坩埚设在坩埚位上,所述坩埚位包括一个加热位(9)和若干个存放位(10),所述坩埚加热位的上方设有挡板(11),所述挡板为活动式,所述低温泵与真空腔体的连接管上设有插板阀(12)。
地址 310053 浙江省杭州市滨江区滨康路777号