发明名称 |
半导体发光器件 |
摘要 |
本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例,一种半导体发光器件包括层叠结构体、第一电极、第二电极以及介电体部件。所述层叠结构体包括第一半导体层,所述第一半导体层具有第一部分和与所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的发光层、在所述发光层上提供的第二半导体层。所述第一电极包括设置在所述第一部分上并与所述第一层接触的接触部件。所述第二电极包括第一部件和第二部件,所述第一部件设置在所述第二半导体层上并与所述第二层接触,所述第二部件与所述第一部件电连接并包括当从所述第一层向所述第二层的方向看时覆盖所述接触部件的部分。所述介电体部件被设置在所述接触部件和所述第二部件之间。 |
申请公布号 |
CN102790165A |
申请公布日期 |
2012.11.21 |
申请号 |
CN201210017796.2 |
申请日期 |
2012.01.19 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
勝野弘;三木聪;岡俊行;布上真也 |
分类号 |
H01L33/64(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/64(2010.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
杨晓光;于静 |
主权项 |
一种半导体发光器件包括:层叠结构体,包括:第一导电类型的第一半导体层,具有第一部分和第二部分,所述第二部分在平行于所述第一半导体层的层表面的面中与所述第一部分并置,在所述第二部分上提供的发光层,以及在所述发光层上提供的第二导电类型的第二半导体层;第一电极,包括设置在所述第一部分上并与所述第一半导体层接触的接触部件;第二电极,包括:第一部件,设置在所述第二半导体层上并与所述第二半导体层接触,以及第二部件,与所述第一部件电连接并包括当从所述第一半导体层向所述第二半导体层的层叠方向看时覆盖所述接触部件的部分;以及介电体部件,设置在所述接触部件和所述第二部件之间。 |
地址 |
日本东京都 |