| 发明名称 | 半导体晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体晶体管具备：由GaN系的半导体构成的活性层、以及形成于活性层上的栅极绝缘膜。栅极绝缘膜具有：形成于活性层上且包含从由Al2O3、HfO2、ZrO2、La2O3、以及Y2O3构成的群中选出的1种以上的化合物在内的第1绝缘膜、以及形成于第1绝缘膜上且由SiO2构成的第2绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102792449A | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
| 申请号 | CN201180011856.3 | 申请日期 | 2011.03.02 |
| 申请人 | 先进动力设备技术研究协会;国立大学法人东北大学 | 发明人 | 神林宏;上野胜典;野村刚彦;佐藤义浩;寺本章伸;大见忠弘 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 吴秋明 |
| 主权项 | 一种半导体晶体管，具备：活性层，其由GaN系的半导体构成；和栅极绝缘膜，其具有包含从由标准生成焓的绝对值比228kJ/mol大的绝缘膜构成的群中选出的1种以上的化合物在内的第1绝缘膜、以及形成于所述第1绝缘膜上且由SiO2构成的第2绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县 | ||