用于低K电介质的低损害光致抗蚀剂剥离方法

摘要

本发明提供从电介质材料剥离光致抗蚀剂及移除蚀刻相关残留物的改进的方法。在本发明的一个方面中，若干方法涉及使用采用弱氧化剂及含氟化合物的基于氢的蚀刻工艺从电介质层移除材料。衬底温度维持在约160℃或更低的水平，例如低于约90℃。

主权项

一种在蚀刻工艺之后从作为部分制造的集成电路的一部分的工件上的电介质层移除材料的方法，所述方法包括：从包括氢及含氟化合物的气体形成第一等离子体；使所述工件暴露于所述第一等离子体；从包括氢剂的气体形成第二等离子体；及使所述工件暴露于所述第二等离子体，其中所述工件温度维持在低于约160℃的温度下。