自对准硅化物膜的蚀刻方法

摘要

本发明涉及一种自对准硅化物膜的蚀刻方法，包括：用氧化物蚀刻腔产生经过辉光放电生成的氧气等离子体，对富硅氧化物层进行轰击，来完成反应离子蚀刻，同时清除光刻胶浮渣；用氢氟酸溶液进行湿法蚀刻。上述自对准硅化物膜的蚀刻方法省去了清除浮渣这一步骤，减少了一步工序，降低了生产成本、提高了生产效率。使用氧气作为干法蚀刻的气体，能很好地保护晶圆片有源区；此外因为氧气的成本比传统工艺采用的CF4/CHF3要低，还能降低生产成本。同时由于氧干法蚀刻步骤能一步将富硅氧化物层蚀刻完全，缩短了湿法蚀刻的时间，提高了生产效率；且采用稀氢氟酸溶液的短时间湿法蚀刻不会引起明显钻蚀，提高了产品的稳定性和可靠性。

主权项

一种自对准硅化物膜的蚀刻方法，其特征在于，包括如下步骤：以氧气等离子体对富硅氧化物层进行轰击，完成反应离子蚀刻，同时清除光刻胶浮渣，所述富硅氧化物层为自对准硅化物膜；用氢氟酸溶液进行湿法蚀刻。