外延方法和通过该方法生长的模板

摘要

本发明提供了用于制造具有低缺陷密度并可选地具有选定的晶体极性的III族氮化物半导体材料的基本上连续的层的方法。该方法包括在多个以不规则方式排列在模板结构上的III族氮化物材料的柱形物/岛状物的上部外延生长成核和/或引晶。岛状物的上部具有低缺陷密度并可选地具有选定的晶体极性。本发明还包括具有基本上连续的掩蔽材料层的模板结构，通过该层显露出柱形物/岛状物的上部。本发明可应用于大范围的元素和化合物半导体材料。

主权项

一种用于制造包含半导体材料的层的方法，所述半导体材料以下称作层材料，所述方法包括：提供包括多个岛状物的模板结构，所述岛状物具有基本上不规则的空间排列，包括具有一种以上选定的晶体性质的上表面，并包括其上优先成核并生长所述层材料的材料，所述其上优先成核并生长所述层材料的材料以下称作岛状物材料，其中，所述选定的晶体性质包括选定的晶体极性+c；在所述模板结构上沉积掩蔽材料以使大多数的所述岛状物的上表面经由所述掩蔽材料而暴露，所述掩蔽材料经选择以使所述层材料相比于在所述掩蔽材料上而优先在岛状物上成核和生长；和在下述条件下在所述模板结构上生长所述层材料，所述条件经选择以有利于在所述岛状物上成核，然后外延横向过生长以横向越过所述岛状物，再聚结以形成基本上连续的最终半导体层，该半导体层承袭了所述岛状物的一种以上的所述选定的晶体性质。