发明名称 |
一种传感器及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种传感器及其制造方法,所述传感器包括:衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元,及穿过每一个感测单元的一组偏压线,每个感测单元包括至少一个由薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件组成的感测子单元。本发明所提出的传感器的薄膜晶体管器件为底栅型,传感器的制造可共采用五次构图工艺制作形成,对比于现有技术,减少了掩模板的使用数量,降低了制造成本,简化了生产工艺,大大提升了设备产能及产品的良品率。 |
申请公布号 |
CN102790060A |
申请公布日期 |
2012.11.21 |
申请号 |
CN201210262535.7 |
申请日期 |
2012.07.26 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
徐少颖;谢振宇;陈旭 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种传感器,其特征在于,包括:衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元,及贯穿每一个感测单元的一组偏压线,每个感测单元包括至少一个由薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件组成的感测子单元,其中,所述薄膜晶体管器件包括:位于衬底基板之上并与相邻的栅线连接的栅极;位于栅极之上并覆盖基板的栅极绝缘层;位于栅极绝缘层之上、栅极上方的有源层;位于有源层之上的欧姆层;位于欧姆层之上并相对而置形成沟道的源极和漏极,所述漏极与相邻的数据线连接;所述光电二极管传感器件包括:与源极连接的接收电极、位于接收电极之上的光电二极管、位于光电二极管之上的透明电极,以及位于透明电极之上的偏压电极,所述偏压电极与相邻的偏压线连接。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号 |