发明名称 | 存储器装置和用于驱动存储器装置的方法 | ||
摘要 | 根据本发明的存储器装置能够利用单个电位来工作,据此能够免去电压变换器的使用,从而促成功耗的降低。此类操作能够利用连接到晶体管的栅极电容器的电容耦合进行数据写入来实现。即,通过将由延迟电路提供的信号输入到电容器来引起电容耦合,该延迟电路配置成将具有等于电源电位的写信号延迟。通过电容耦合增大栅极的电位使得晶体管能够与从电源施加到栅极的电源电位关联地被导通。经由晶体管将等于电源电位或接地电位的信号输入到结点来写入数据。 | ||
申请公布号 | CN102789808A | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
申请号 | CN201210149184.9 | 申请日期 | 2012.05.15 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 远藤正己 |
分类号 | G11C11/4063(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/4063(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 何欣亭;李浩 |
主权项 | 一种半导体装置,包括:晶体管,包括栅极、第一端和第二端;电源,用于供应电源电位;自举电路,用于将所述电源电位输入到所述栅极;第一线路,用于输入第一信号以控制所述自举电路;以及第二线路,用于将第二信号输入到所述第一端,其中所述第一信号具有等于所述电源电位的电位,以及其中所述第二信号具有等于所述电源电位或接地电位的电位。 | ||
地址 | 日本神奈川县厚木市 |