| 发明名称 | 半导体晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体晶体管的制造方法，在由GaN系的半导体构成的活性层上形成欧姆电极，该半导体晶体管的制造方法具备：在活性层(3)上形成由钽氮化物构成的第1层(11)、和层叠于第1层(11)上的由Al构成的第2层(12)的工序；通过以520℃以上、600℃以下的温度来对第1以及第2层(11、12)进行热处理，来形成与活性层(3)取得欧姆接触的欧姆电极(9s、9d)的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN102792422A | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
| 申请号 | CN201180011875.6 | 申请日期 | 2011.03.02 |
| 申请人 | 先进动力设备技术研究协会;国立大学法人东北大学 | 发明人 | 神林宏;寺本章伸;大见忠弘 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王亚爱 |
| 主权项 | 一种半导体晶体管的制造方法，在由GaN系半导体构成的活性层上形成欧姆电极，该半导体晶体管的制造方法具备：在所述活性层上形成由钽氮化物构成的第1层、和层叠于所述第1层上的由Al构成的第2层的工序；和通过以520℃以上且600℃以下的温度来对所述第1层以及第2层进行热处理，来形成与所述活性层取得欧姆接触的欧姆电极的工序。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县 | ||