| 发明名称 | 用于制造应用于XUV波长范围的具有横向图案的多层结构的方法以及根据该方法制造的BF结构和LMAG结构 | ||
| 摘要 | 用于制造具有横向图案的多层结构的方法以及根据该方法制造的BF结构和LMAG结构，尤其是应用于电磁辐射波长处于0.1nm到100nm之间波长范围内的光学器件的光栅的制造方法，该方法包括以下步骤：（i）设置多层结构，以及（ii）在该多层结构中布置横向三维图案，其中通过纳米压印光刻（NIL）方法来执行布置横向图案的步骤（ii）。 | ||
| 申请公布号 | CN102792222A | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
| 申请号 | CN201080056081.7 | 申请日期 | 2010.12.08 |
| 申请人 | 帕纳科有限公司 | 发明人 | 弗雷德里克·比耶柯克;威尔弗雷德·热拉尔·范德维尔;罗伯特·范德梅尔;彼得罗内拉·埃梅伦迪亚纳·赫格曼 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G21K1/06(2006.01)I;G02B5/18(2006.01)I;G03F1/24(2012.01)I | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;郑特强 |
| 主权项 | 用于制造具有横向图案的多层结构的方法，尤其是应用于电磁辐射波长处于0.1nm到100nm之间波长范围的光学器件的光栅的制造方法，所述方法包括以下步骤：（i）设置多层结构，以及（ii）在所述多层结构中布置横向三维图案，其特征在于，通过纳米压印光刻（NIL）方法来执行布置所述横向图案的步骤（ii）。 | ||
| 地址 | 荷兰阿尔默洛 | ||