发明名称 |
一种基于SiGe HBT的三应变BiCMOS集成器件及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于SiGe HBT的三应变BiCMOS集成器件及制备方法,在衬底片上制备埋层,连续生长N-Si、P-SiGe、N-Si层,淀积介质层,制备深槽隔离,制备集电区、基区和发射区,形成集电极、基极和发射极接触区,形成SiGe HBT器件;刻蚀出NMOS和PMOS器件有源区深槽,在槽中分别选择性外延生长:P型Si层/P型SiGe渐变层/P型SiGe层/P型应变Si层作为NMOS器件有源区和N型Si层/N型应变SiGe层/N型Si帽层作为PMOS器件有源区;制备虚栅极、侧墙,自对准形成NMOS和PMOS器件源漏;刻蚀虚栅,淀积SiON栅介质层和W-TiN复合栅,形成CMOS结构,最终构成三应变BiCMOS集成器件及电路,充分利用电子迁移率高的张应变Si和空穴迁移率高的压应变SiGe分别作为NMOS和PMOS器件的导电沟道,有效地提高了BiCMOS集成电路的性能。 |
申请公布号 |
CN102790052A |
申请公布日期 |
2012.11.21 |
申请号 |
CN201210244089.7 |
申请日期 |
2012.07.16 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
胡辉勇;宋建军;宣荣喜;周春宇;张鹤鸣;李妤晨;舒斌;郝跃 |
分类号 |
H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8249(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/06(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1. 一种基于SiGe HBT的三应变BiCMOS集成器件,其特征在于,构成该BiCMOS集成器件的三种器件分别为:应变Si平面沟道 NMOS器件、应变SiGe平面沟道PMOS器件及SiGe HBT器件。 |
地址 |
710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号 |