Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法、Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件和灯

摘要

本发明提供生产率优异并具有优异的发光特性的Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法、Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件以及灯。所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是包括在基板(11)上采用溅射法形成由含有作为Ⅲ族元素的Ga的Ⅲ族氮化物化合物半导体构成的半导体层的工序的制造方法，在将所述基板(11)和溅射靶对向地配置的同时，使基板(11)与溅射靶的间隔为20～100mm的范围。另外，在采用溅射法形成半导体层时，施加于基板(11)的偏压值为0.1W/cm2以上。而且，在形成所述半导体层时，向在溅射中使用的室内供给氮和氩从而进行溅射。

主权项

一种III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是包括采用溅射法在基板上形成由含有作为III族元素的Ga的III族氮化物化合物半导体构成的半导体层的工序的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在将所述基板和溅射靶对向地配置的同时，使所述基板与所述溅射靶的间隔为20～100mm的范围，在形成所述半导体层时，预先使在溅射中使用的室内的真空度为1.0×10‑3Pa以下之后，向所述室内供给原料，施加于溅射靶的功率通过高频方式或脉冲DC方式施加。