| 发明名称 | 用于行进金属基底的等离子处理的方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于对金属基底或绝缘基底(3)进行等离子体处理的方法，所述基底基本连续地在具有处理区域(2)的真空室中行进，所述等离子体借助于连接至射频发生器的感应器(4)通过射频感应耦合而被保持在处理区域(2)中，其中通过法拉第屏(7)保护感应器(4)免于被所述基底(3)的表面所发射物质的污染，所述法拉第屏(7)位于所述等离子体和所述感应器(4)之间，并且，所述法拉第屏(7)相对于所述基底(3)或相对于存在于所述等离子体中的反电极被平均正电极化。 | ||
| 申请公布号 | CN101884086B | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
| 申请号 | CN200880118815.2 | 申请日期 | 2008.10.06 |
| 申请人 | 工业等离子体服务与技术IPST有限公司 | 发明人 | P·范德布兰德 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘敏 |
| 主权项 | 用于通过等离子体处理金属或绝缘基底的方法，其中至少一个基底基本连续地在具有处理区域(2)的真空室中行进，穿过该处理区域(2)，所述等离子体借助于连接至射频发生器的感应器(4)通过射频感应耦合而被保持在所述处理区域(2)中，其中通过法拉第屏(7)保护所述感应器(4)免于被所述基底(3)的表面所发射物质的任何污染，所述法拉第屏(7)位于所述等离子体和所述感应器(4)之间，其特征在于：所述法拉第屏(7)构成一导电电极；并且，所述法拉第屏(7)相对于所述基底(3)或相对于存在于所述等离子体中的反电极(23)被平均正电极化，因此将存在于所述等离子体中的离子朝着所述基底(3)或朝着所述反电极(23)加速，并且在形成所述法拉第屏(7)的电极处回收来自所述等离子体的电子，所述等离子体在所述法拉第屏和所述处理区域中的所述基底之间产生或在所述法拉第屏和所述反电极之间产生。 | ||
| 地址 | 瑞士莱茵瀑布诺伊豪森 | ||