| 摘要 |
1. Диод с барьером Шоттки на рельефной структуре, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с первой концентрацией примеси, полупроводниковый слой первого типа проводимости со второй концентрацией примеси, причем первая концентрация примеси выше, чем вторая концентрация примеси, множество канавок в полупроводниковом слое внутри ограниченной зоны, являющейся активной областью диода, имеющих противоположные боковые стенки и дно, покрытые слоем изоляции, хотя бы одну первую ограничительную замкнутую канавку, окружающую активную область и имеющую такую же глубину, как множество внутренних канавок, причем ограничительная канавка имеет внутреннюю и внешнюю боковые стенки и дно, покрытые слоем изоляции, множество гребней между соседними канавками, имеющих горизонтальную поверхность и первый тип проводимости; электрод, расположенный в каждой из канавок активной области и в ограничительной канавке, барьер Шоттки в контакте металла на горизонтальной поверхности гребней в активной области диода, первую контактную площадку, имеющую электрическое соединение с барьером Шоттки и с электродами в каждой канавке активной области и в ограничительной канавке, вторую контактную площадку, имеющую электрическое соединение с противоположной стороной полупроводниковой подложки, отличающийся тем, что первая ограничительная канавка имеет ширину не менее ширины внутренней канавки активной области и не более половины ширины области пространственного заряда при напряжении лавинного пробоя диода, слой изоляции на боковых стенках и дне канавок активной области, внутренней и внешней стенках и дне пе |
