Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements

摘要

Es werden ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements bereitgestellt, wobei das Halbleiterbauelement enthält: eine Source-Leiterbahn, eine Drain-Leiterbahn und eine Gate-Leiterbahn, die auf dem Substrat angeordnet sind; einen Transistor, der auf der Drain-Leiterbahn angeordnet ist und einen Source-Kontaktfleck sowie einen Gate-Kontaktfleck enthält; Isolierfilme, die zwischen der Drain- und Source-Leiterbahn sowie zwischen der Drain- und Gate-Leiterbahn auf dem Substrat angeordnet sind, um die Seitenwandoberflächen des Transistors zu bedecken; eine Source-Sprühelektrode, die auf dem Isolierfilm zwischen der Source- und Drain-Leiterbahn angeordnet ist und den Source-Kontaktfleck des Transistors und die Source-Leiterbahn verbindet; und eine Gate-Sprühelektrode, die auf dem Isolierfilm zischen der Gate- und der Drain-Leiterbahn angeordnet ist und den Gate-Kontaktfleck des Transistors und die Gate-Leiterbahn verbindet.